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Thermokompressionsverfahren
Aus Kefk.
Beim Thermokompressionsverfahren handelt es sich um ein Verfahren der Einzeldrahtkontaktierung in der CMOS-Herstellung. Dabei wird der Draht erst durch eine Flamme oder eine Entladung geschmolzen ( es entsteht ein "Ball"), um dann unter Druck an der Kontaktstelle ("Pad") angepresst zu werden ("Nailhead"). Zur Verbindung mit der zweiten Kontaktstelle wird der Draht im Bogen ("Loop") geführt, angedrückt und abgeschnitten ("Stitch"). Dies geschieht bei Temperaturen von ca. 350°C.
Siehe auch
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