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Raumladungszone
Aus Kefk.
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss oder ein Mangel an Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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Siehe auch
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