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Fotolacke (engl. Photoresist) werden insbesondere in der Mikroelektronik und der Mikrosystemtechnik für die Produktion von Strukturen im Mikro- und Submikrometerbereich und bei der Leiterplattenherstellung verwendet. Die wichtigsten Ausgangsstoffe für Fotolacke sind Polymere (z. B. PMMA (Plexiglas), PMGI) bzw. Epoxid-Harze (z. B. SU-8), Lösungsmittel wie Cyclopentanon oder Gamma-Butyrolacton, sowie eine fotoempfindliche Komponente.

Neben flüssigen Fotolacken gibt es noch Fest- bzw. Trockenresists (Fotofolien).

Inhaltsverzeichnis 1 Belichtung 1.1 Positivlack 1.2 Negativlack 2 Entwicklung 3 Siehe auch

Belichtung

Als Belichten bezeichnet man die selektive Bearbeitung der Fotoschicht durch eine Belichtungsmaske oder Fotoschablone (Fotokopien des Leiterbildoriginals) mit dem Ziel die Löslichkeit dieser Schicht durch eine fotochemische Reaktion lokal zu verändern.Die Belichtungsmasken bestehen aus einer UV-durchlässigen Trägerschicht (Quarzglas) und einer Adsorberschicht (Chrom). Nach der fotochemisch erzielbaren Löslichkeitsveränderung unterscheidet man Fotolacke in

• Negativlacke (negative resist): Löslichkeit nimmt durch Belichten ab
• Positivlacke (positive resist): Löslichkeit wächst durch Belichten

Positivlack

Positivlack verändert durch Bestrahlung mit UV-Licht seine Struktur, so dass er nach der Belichtung mit einer geeigneten Entwicklerlösung weggespült werden kann. Es bleiben nur die Bereiche übrig, welche durch eine Maske vor der Bestrahlung geschützt sind und somit nicht belichtet werden.

Negativlack

Negativlacke verhalten sich umgekehrt zu den Positivlacken. Hier bleiben nach dem Entwickeln jene Bereiche stehen, welche belichtet wurden.

Diese Fotolacke werden hauptsächlich in der Mikrosystemtechnik für die Produktion von kleinsten Strukturen im Mikro- und Submikrometerbereich eingesetzt.

Entwicklung

Bei der Entwicklung erfolgt ein Strukturieren der Fotolackschicht durch Herauslösen der unbelichteten Bereiche bei Negativlacken bzw. der belichteten Bereiche bei Positivlacken durch ein geeignetes Lösungsmittel (Entwicklerflüssigkeit).

Negativresists werden bei Bestrahlung mit UV-Licht unlöslich durch eine Fotopolymerisation bei der schwache Pi-Bindungen in den Resistmolekülen (intramolekulare Bindungen) in starke Sigma-Bindungen zwischen verschiedenen Resistmolekülen (intermolekulare Bindungen) überführt werden.

Ergebnis der Entwicklung ist die fertige Haftmaske.

Siehe auch

Fotolithografie | Halbleitertechnologie | Spin-coating | Leiterplatte)

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