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Majoritätsladungsträger

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Majoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, die häufiger vorkommt als die Minoritätsladungsträger. Bei p-Dotierung sind die Majoritätsladungsträger die Defektelektronen (auch Löcher genannt), bei n-Dotierung sind es die Elektronen. Da bei Raumtemperatur praktisch alle Donatoren beziehungsweise Akzeptoren ionisiert sind, führt dieses zu einer Majoritätsladungsträger-Konzentration im

p-Gebiet
p=\frac{n_A}{2}+\sqrt{(\frac{n_A}{2})^2 + n_i^2} \approx N_A=konst. \,
n-Gebiet
n=\frac{n_D}{2}+\sqrt{(\frac{n_D}{2})^2 + n_i^2} \approx N_D=konst. \,
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