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Ionendünnung
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Die Ionendünnung ist ein häufig in der Physik angewandtes Verfahren zur Strukturierung meist elektrischer Bauelemente. Es handelt sich hierbei um ein Trockenätzverfahren. Andere Bezeichnungen sind Ionenätzen , Ionenstrahlätzen oder (engl.) ion milling. Bei definiert gebündeltem Ionenstrahl und geeigneten Detektoren wird das Verfahren zur Abbildung oder Materialanalyse eingesetzt, siehe Focused Ion Beam
Funktionsweise
Die Beschleunigung von Argonionen im Hochvakuum in Richtung des zu bearbeitenden Substrats, führt dazu, dass beim Auftreffen eine Impulsübertragung von den hochenergetischen Ionen auf das Substrat stattfindet und dessen Oberfläche zerstäubt und gleichmäßig abgetragen wird.
Die Ionendünnung gestattet es, dünne Proben von weniger als 1nm Dicke herzustellen, ohne die Kristallstruktur zu stören, eine notwendige Voraussetzung für die hochauflösende Elektronenmikroskopie.
Die Ionendünnung wird auch als Ätzverfahren für die Strukturierung von Mikrochips eingesetzt. Um beispielsweise in eine dünne Schicht (<200nm) Strukturen einzulassen, kann man nicht einfache grobe mechanische Verfahren, wie Laserbearbeitung etc., verwenden, man muss auf feinere Verfahren zurückgreifen. So kann man die Schicht mit Photolack beschichten, in diese die Strukturen durch photolithografische Strukturierungsverfahren übertragen und anschließend die freigelegten Stellen mit Ionenbestrahlung abtragen.
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