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IGFET
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Bild:Scheme of metal oxide semiconductor field-effect transistor.svg
Beispiel eines IGFET, hier n-Kanal-MOSFET
Insulated-gate field-effect transistor (kurz: IGFET, Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate) ist die Bezeichnung für eine Gruppe von Feldeffektttransistoren, bei denen der Stromfluss durch Ladungsträgerinduktion über ein isoliertes Gate gesteuert wird. Sie werden alternativ auch nach der typischen Schichtstruktur (Metall-Isolator-Halbleiter) als MISFETs (metal insulator semiconductor FET, Metall-Isolator-Halbleiter FET) bezeichnet. Häufig wird IGFET als Synonym für seinen populärsten Vertreter, den MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter FET) benutzt, obwohl die Isolation mittels Oxid, wie es beim MOSFET der Fall ist, nur eine Möglichkeit ist.
Verschiedene Bauarten des IGFET sind:
- MOSFET - Metall-Oxid-Halbleiter FET
- MNOSFET - Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter FET
- TFT - Dünnschichttransistor
Literatur
- Heinz Beneking, Feldeffekttransistoren, 1973, Berlin, Springer-Verlag, ISBN 3-5400-6377-3
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