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Heterojunction Bipolartransistor
Aus Kefk.
Der Heterojunction Bipolartransistor (HBT bzw. HJBT) ist die bipolare Ausführung des High Electron Mobility Transistor (HEMT).
Mit dieser Transistorarchitektur lassen sich Schaltfrequenzen von über 600GHz erreichen.
Weite Verbreitung hat dieser Transistortyp in den Leistungsverstärkern von Mobilfunkgeräten (Handys) gefunden.
Sie bestehen heute meist aus SiGe:C (Silicium Germanium Kohlenstoff). Dieses Materialgemisch beeinflusst die effektive Masse der Elektronen im Materialsystem. Das Elektron wird unter dem Einfluss des Germaniumatoms sehr viel leichter und hat somit eine geringere Massenträgheit, was es dem Elektron erlaubt sich mit einer höheren Mobilität im Material zu bewegen. Der Kohlenstoff bindet den Dotierstoff Bor in der Basis. Dies hat ein viel schärferes Dotierstoffprofil zur folge, was das Bauteil nochmals schneller werden lässt.
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