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Die DOVETT-Diode (englisch: double velocity transit-time diode) ist ein Hochfrequenz-Halbleiter-Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört. Ein verwandtes Bauteil ist die BARITT-Diode. Der einzige Unterschied besteht darin, dass die Geschwindigkeit der Ladungsträger nahe dem Injektionskontakt signifikant kleiner ist als am Kollektorkontakt.

Literatur

• S. M. Sze: Physics o Semiconductor Devices. second edition. John Wiley & Sons. 625-627 (1981). ISBN 0-471-05661-8
• M. S. Tyagi: Introduction to Semiconductor Materials and Devices. John Wiley & Sons. 327 (1991). ISBN 0-471-60560-3